光刻机成“废铁”？中企公开表态，日、美企业真正的噩梦终来临

近期半导体行业可谓波澜起伏，中国企业接连取得显著的技术进展，令日美等国的行业巨头感到前所未有的紧迫感。

长期以来，光刻设备作为芯片制造流程中不可或缺的关键装备，其市场一直被少数几家国际企业牢牢掌控。

随着中国官方披露最新的自主研发突破，原本依赖进口的高端光刻设备或将失去原有的市场价值，甚至可能面临被逐步替代的局面。

自2019年以来，美国持续对中国的半导体产业施加压力，不断推出各类限制与制裁措施。

进入2023年，美国与日本、荷兰进一步形成三方联合，共同加强对光刻机出口的管控。

其中，荷兰的ASML公司作为全球光刻技术领域的领军者，掌握着极紫外光刻与深紫外光刻等尖端设备的制造能力。

与此同时，日本的尼康与佳能公司则在中低端光刻设备领域占据重要地位。

日本方面此前紧跟美国的政策步伐，于今年四月更新了出口管制清单，将涉及23类半导体制造设备纳入限制范围，禁止自由对华销售。

荷兰方面则早在三月就已启动相关限制措施，并在六月全面落地实施。

这一系列举措直接导致中国在高端光刻设备进口方面遭遇严重阻碍，特别是在7纳米及以下制程工艺所需设备上，目前主要依赖现有库存及二手市场维持运转。

这一系列事件对全球半导体供应链产生了显著影响，中国作为全球芯片消费的重要市场，在ASML的总体收入中占据着接近一半的份额。

若全面中断向中国供货，ASML所生产的设备将大量积压于仓库，其市场价值也会随之大幅下跌。

在2023年6月，上海积塔半导体成功从ASML采购到6台深紫外光刻设备，这些设备可支持7纳米至28纳米工艺的生产，为当时紧张的供应局面提供了一定程度的缓解。

然而美国政府并未就此收手，在2024年10月进一步收紧出口规则，将深紫外光刻设备的制程门槛从7纳米提升至14纳米，这意味着包括1980i在内的中阶机型也须经过额外审批程序。

荷兰方面亦在2025年1月修订了相关法规，并于同年4月1日进一步加强出口控制措施，日本政府亦在同一时期采取了类似行动。

到了2025年10月，中国商务部作出回应，宣布强化对稀土金属出口的监管措施。

由于ASML的设备中使用了大量由中国稀土材料制成的磁铁与电池组件，新规导致其出口流程必须经过审批，产品出货时间因此延迟数周。

ASML高层公开表示公司已做好应对准备，不过其财务报告显示，2026年对华销售额预计将从2024至2025年的高位逐步回落，最终恢复至较为平稳的区间。

中国市场在ASML全球总销售额中约占四成比例，因此这一下滑趋势对公司整体业绩的影响不容忽视。

日本于2025年4月宣布对十余种半导体相关材料实施出口管制，涵盖范围从CMOS集成电路到量子计算设备的关键组件。

这一政策比美国现行限制更为严格，全面封锁了核心原材料与前沿技术的对外输出渠道。

信越化学与JSR公司原本垄断全球光刻胶市场七成份额，但随着中国实现技术突破，这两家日企的销售额已出现12%的显著下滑。

日本半导体行业协会最新统计显示，2023年度对华半导体出口同比萎缩15%，预计到2025年将持续呈现负增长态势。

值得注意的是，美国科技巨头苹果公司已开始向中国长江存储批量采购存储芯片，订单规模突破百亿颗单元。

由于日本半导体企业长期依赖中国市场，若中国对其采取中低端产品进口限制措施，将直接冲击日本半导体产业的根基。

在国产半导体材料领域，南大光电于今年9月11日正式发布公告，两款型号的ArF光刻胶产品已全面进入批量验证流程。

这种光刻胶作为光刻工艺中的核心耗材，主要适配193纳米波长的曝光系统，可广泛覆盖从90纳米至14纳米等多个先进制程节点。

其核心原材料已实现完全自主研发，生产基地于2021年正式启动建设，预计在2024年将形成小规模量产能力，届时每月可稳定供应数百升产品。

至2025年5月，国内晶圆代工龙头中芯国际已下达百吨级采购订单，这标志着国产高端光刻胶首次实现规模化商业应用。

从市场表现来看，南大光电在2024年ArF光刻胶产品线销售额已突破千万元大关，2025年上半年在国内市场份额预计将达到20%至30%区间。

这一突破对长期由日本和美国企业主导的光刻胶市场格局形成有力冲击，中国过去超过九成的光刻胶依赖进口，目前自给率已从初期5%提升至15%，预计到2025年进口需求将缩减三成。

日本材料巨头JSR在最新财报中明确提到，对华光刻胶销量同比下滑12个百分点。

南大光电产品已顺利通过中芯国际严格的技术认证，可全面支持7纳米至14纳米制程工艺，成功打破日本信越化学与JSR长期形成的市场垄断。

与此同时，国内其他企业如徐州博康和上海新阳也在加快推进KrF光刻胶的研发与产业化进程，整个国产光刻胶行业正呈现加速发展态势。

在光刻设备领域，上海微电子作为国内的核心研发与制造企业，正积极推动技术进步与产业应用。

其研发的90纳米制程光刻系统预计将于2024年进入大规模生产阶段，并已陆续向多家下游客户供货，主要应用于功率半导体元件的制造流程。

进入2025年5月，该公司完成了首台28纳米浸没式深紫外光刻设备的交付，设备国产化率已突破七成，其能量密度较前代产品显著提升四成。

该新型光刻机目前正处于严格的产品性能与可靠性验证阶段，已实现百分之九十五以上的生产良率，并已分批向中芯国际与华虹集团等客户供应了合计十五台设备。

在核心零部件的供应链方面，国产化程度已达到一半水平，同时多个地方政府已累计投入专项扶持资金超过十亿元人民币，以支持相关技术攻关。

对于更为先进的极紫外光刻系统，当前仍处于前期技术预研与方案论证阶段，其关键性能参数图纸首次对外披露。

而深紫外光刻系统的整体技术自主率已稳定在八成五左右，仅余约百分之十至十五的高端精密组件仍需依赖外部进口渠道。

国家集成电路产业投资基金三期已将深紫外光刻设备的全面国产化列为重点支持方向，计划在2025年实现核心部件自给率达到五成以上。

根据华鑫证券发布的研究报告，国产光刻设备在90纳米及更先进制程节点的技术突破已取得实质性成果。

上海微电子旗下600系列光刻机已具备成熟的90纳米量产能力，其28纳米工艺平台的研发工作亦在稳步推进中。

中芯国际在这些技术突破的强力推动下实现了显著进展。

根据2023年第一季度报告，公司晶圆交付量达到140万片8英寸等效晶圆，其中28纳米制程产品占据全球市场77%的份额。

到2025年上半年，中芯在全球半导体市场的占有率已提升至6%，稳居国内同行业首位。

目前公司运营着三条8英寸晶圆产线，同时拥有七条更为先进的12英寸晶圆生产线。

在尖端制程方面，7纳米工艺的良品率取得重大突破，其自主研发的N+2技术已成功应用于华为麒麟9000s系列芯片。

按照发展规划，中芯计划在2025年内完成5纳米工艺的全面开发，尽管该制程成本较台积电同类工艺高出约50%，但月产能预计可达到7,000至9,000片晶圆。

在7纳米制程领域，公司月产能最高可维持在35,000至37,000片晶圆水平。

2025年2月，中芯宣布投入75亿美元用于产能扩张，这笔投资占当年总营收的94%，创下公司历史最高投资纪录。

随着2023年进口芯片数量同比下降22.9%，国内半导体产业链的本土化替代进程正在加速推进。

中芯持续深耕成熟制程技术，产品覆盖范围从90纳米到14纳米均已实现规模化量产，其N+1工艺性能接近7纳米水平，主要服务于人工智能和物联网应用领域。

华为公司旗下的麒麟系列处理器在经历了四年沉寂后正式回归市场。

2023年8月推出的Mate60 Pro旗舰机型率先搭载了麒麟9000s芯片，该处理器采用7纳米制程工艺并支持5G网络，所有元器件均实现国产化采购。

2025年9月发布的三折叠屏手机Mate XTs搭载了新一代麒麟9020芯片，其综合性能较前代产品提升达36%，整体表现已能与同期的高通骁龙8 Gen2旗舰平台相抗衡。

该系列芯片采用自主研发的泰山核心架构，全部生产环节均由国内半导体产业链完成。

同年11月推出的Mate80系列共包含四款机型，全线搭载麒麟9030处理器，率先支持3GPP R18标准定义的5G-Advanced通信技术。

面向海外市场发布的Pura70系列国际版则配备了特制的麒麟9010移动平台。

麒麟芯片产品线规划显示，后续将陆续推出9020、9030及9040等多代迭代方案。

2025年4月至5月期间上市的畅享80系列中端机型，将根据配置差异分别采用麒麟7000或9000A处理器。

根据市场调研数据显示，华为折叠屏设备全年出货量达498万台，在上半年中国折叠屏手机细分领域占据市场份额首位。

日美企业界近期因一系列动向陷入高度紧张状态。

高盛集团发布的报告曾声称，中国光刻技术与国际领先水平存在约二十年代差。

但实际情况显示，国内厂商已能通过成熟DUV设备实现7纳米制程工艺。

虽然这种替代方案会导致生产成本显著上升，但确实具备了可行性。

美国政府计划自2025年5月起实施对华为昇腾系列芯片的出口管制。

同年9月，中国商务部宣布将对进口集成电路产品启动行业调查。

根据美国国会最新披露的文件，ASML等半导体设备商在2024年向中国市场销售了价值380亿美元的关键技术设备。

特朗普政府近期提出构建"稀土版北约"的战略构想，意图联合盟友建立稀土供应链联盟。

然而这项战略面临现实困境，美国在短期内仍无法摆脱对中国稀土资源的进口依赖。

从长远规划来看，该战略主张通过盟国合作建设稀土加工厂以完善产业链布局。

中国近期实施的稀土出口管制政策已对全球半导体设备供应产生连锁反应，致使ASML光刻机出货面临阻碍。

日本半导体设备企业Screen Holdings财报显示，其在中国市场的营业收入占比高达44%。

行业预测指出，到2025年日本半导体设备企业的整体利润率将呈现下降趋势。

美国Lam Research与日本东京电子凭借技术多元化战略维持市场竞争力。

当前全球半导体设备市场的增长动力主要来自两大引擎：中国持续旺盛的设备需求与NAND闪存市场的周期性复苏。

中国半导体行业在2024年将实现449亿美元的市场规模，展现出强劲的发展势头。

到2025年，行业规模预计将突破500亿美元大关，年度增长率有望达到15%左右。

国家层面持续推出税收优惠政策和专项产业基金，为半导体企业提供有力支持。

预计到2025年，国内半导体自给率将提升至50%，有效缓解对外依赖程度。

中芯国际正在积极推进北京和上海生产基地的扩建工程。

新生产线投产后，每月晶圆产能将提升至200万片水平。

长江存储已成功进入苹果供应链体系，开始为苹果产品提供闪存芯片解决方案。

全球半导体供应链格局正在经历重大调整，产业分布呈现多元化趋势。

日本和美国企业在全球市场中的份额正在逐步缩减，面临竞争压力。

荷兰ASML公司面临库存积压问题，设备价值存在下行风险。

如果中国本土半导体产能持续提升，进口设备可能面临价值重估。

日本信越化学等材料供应商对华出口量明显减少，导致库存水平上升。

美国苹果公司主动寻求与长江存储合作，充分展现了中国半导体产业的技术实力和市场吸引力。

总体来看，此次官方发布不仅涉及技术创新，更标志着产业格局的深层次调整。

南京大学光电的先进ArF光刻胶、上海微电子装备的28纳米工艺设备、中芯国际的5纳米制程突破、华为新一代麒麟9030芯片的研发进展，彼此紧密衔接形成完整的产业闭环。

国际竞争对手尤其是日本和美国企业，正密切关注中国半导体自主化进程可能带来的市场变革。

光刻设备的技术迭代若持续加速，现有海外垄断体系或将面临结构性挑战。

全球产业链波动性增强，智能手机与新能源汽车等下游领域面临供应链中断的潜在压力。

中国半导体产业始终保持着稳健的发展步伐，在核心技术领域持续取得系列突破。

从材料研发到设备制造，从芯片设计到工艺整合，各环节均展现出可观的发展前景。